Samsung, 36GB HBM3E 12H DRAM İle Büyük Atılım Yaptı

Samsung, 36GB HBM3E 12H DRAM duyurusu ile büyük bir muvaffakiyete imza attı. Bu, bölümün “bugüne kadarki en yüksek kapasiteli HBM ürünü” olan birinci 12 yığınlı HBM3E DRAM olarak kıymetli bir kilometre taşını temsil ediyor.

HBM3E 12H, 36 gigabayt (GB) depolama kapasitesiyle birlikte saniyede 1.280 gigabayta (GB/s) kadar bant genişliği sunuyor. Her iki açıdan da 8 yığınlı HBM3 8H ile karşılaştırıldığında yüzde 50’nin üzerinde bir güzelleşme görülüyor. Samsung, 12 katmanlı konfigürasyonda gelişmiş termal sıkıştırmalı iletken olmayan sinema (TC NCF) kullanıyor ve mevcut HBM paketi ihtiyaçlarını karşılamak için 8 katmanlı muadili ile tıpkı yükseklik özelliğini koruyor.

Samsung Bellek Eser Planlamasından Sorumlu Lider Yardımcısı Yongcheol Bae şunları söyledi: “Sektörün yapay zeka hizmet sağlayıcıları giderek daha yüksek kapasiteli HBM’ye gereksinim duyuyor ve yeni HBM3E 12H eserimiz bu gereksinime yanıt vermek üzere tasarlandı. Bu yeni bellek tahlili, yüksek yığın HBM için temel teknolojiler geliştirme ve yapay zeka çağında yüksek kapasiteli HBM pazarı için teknolojik liderlik sağlama gayretimizin bir modülünü oluşturuyor.”

Bu teknolojik ilerlemenin bilhassa sanayinin daha yüksek istiflerde daha ince kalıplarla bağlantılı talaş kalıp eğrilme sıkıntılarını ele alması nedeniyle ek yararlar sağlaması bekleniyor. Samsung’a nazaran, NCF materyalinin kalınlığını azaltma taahhüdü, sanayinin çipler ortasındaki en küçük boşluğun yedi mikrometre (μm) olması ve katmanlar ortasındaki boşlukların ortadan kaldırılmasıyla sonuçlandı. Sonuç olarak, HBM3 8H ile karşılaştırıldığında dikey yoğunlukta yüzde 20’yi aşan bir artış sağlanıyor.

Samsung’un TC NCF kullanımı, HBM’nin termal özelliklerinin güzelleştirilmesine kadar uzanıyor. Bu, çipler ortasında çeşitli boyutlarda tümseklerin yerleştirilmesinin sağlanmasıyla elde ediliyor. Çip bağlama süreci sırasında sinyalleme alanlarına daha küçük tümsekler yerleştirilirken daha büyük tümsekler tesirli ısı dağıtımı için tasarlanmış durumda.

HBM3E 12H’nin yapay zeka uygulamalarında benimsenmesinin yapay zeka eğitimi için ortalama süratte yüzde 34’lük bir artışa yol açması ve çıkarım hizmetlerinin eşzamanlı kullanıcı sayısını 11,5 kattan fazla artırma potansiyeline sahip olması bekleniyor.

Samsung bu yılın birinci yarısında seri üretime geçmesi planlanan HBM3E 12H’yi müşterilere numune olarak sunmaya başladı.