Samsung’un Düşük Gecikme, Yüksek Performanslı Bellekleri: (LLW) DRAM

Samsung yüksek bant genişliği, düşük gecikme mühleti ve düşük güç tüketimini bir ortaya getirmek hedefiyle geliştirdiği Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM tahlilini teknoloji severlerin beğenisine sundu. Şirket yeni belleğini aygıt üzerinde büyük lisan modellerini (LLM’ler) çalıştıracak aygıtlar için konumlandırıyor, lakin bu çeşit DRAM’ler gelecekte çok çeşitli alanlarda kullanılabilir.

Samsung’un LLW DRAM’i geniş I/O, düşük gecikme mühleti ve modül başına 128 GB/sn bant genişliğine sahip düşük güçlü bir bellek tahlili. 128 GB/sn’lik suratı kıyaslayacak olursak, 128-bit DDR5-8000 bellek alt sistemi 128 GB/sn’ye benzeri halde bant genişliği sunabiliyor. Yani diyebiliriz ki yeni düşük güç tüketen tahlil epey süratli.

Bu ortada, LLW DRAM’in 1.2pJ/bit’lik düşük güç tüketimine sahip olduğu belirtiliyor. Lakin Samsung, LLW DRAM’in düşük güç tüketimini hiçbir iş yüküyle ve bilgi transfer süratiyle bağdaştırmadı.

Gelişim sürdüğü için LLW DRAM hakkında pek fazla ayrıntı verilmedi. Samsung bir müddettir geniş arayüzlü bellekler (örneğin GDDR6W) üzerinde çalışmalar yapıyordu. Teknoloji devi, LLW ile elde ettiği tecrübeleri GDDR6W üzere grafik tahlillerinde de kullanabilir.